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中國電科搶占碳化硅材料與器件制造設(shè)備市場先機

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-22     來源:[標簽:出處]     作者:[標簽:作者]     瀏覽次數(shù):105
核心提示:
       近日,由中國電子科技集團48所、2所、55所共同申請的國家科技部“863”前沿技術(shù)項目已獲批,該項目的主要目的是為高壓碳化硅電力電子器件的制造提供關(guān)鍵設(shè)備和工藝,其中包括4-6寸碳化硅單晶生長爐、碳化硅外延生長爐和碳化硅高溫高能離子注入機的研發(fā)。

  當前正值我國大力開展科技創(chuàng)新推動產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的新時期,碳化硅制造設(shè)備已被列入國家《新材料產(chǎn)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃》重點產(chǎn)品目錄,碳化硅材料和器件的科研也已納入電力電子行業(yè)“十二五”規(guī)劃。項目獲批,對中國電科搶占SiC裝備市場的先機奠定了堅實基礎(chǔ)。 
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