就在不久前，說起汽車電子化，指的還是把機(jī)械部件換成半導(dǎo)體和電子部件，以及為汽車配備視聽設(shè)備和信息娛樂系統(tǒng)。而現(xiàn)在，新的電子化浪潮席卷了汽車領(lǐng)域，利用信息處理和圖像處理技術(shù)的ADAS（高級駕駛輔助系統(tǒng)）及自動(dòng)駕駛等功能的實(shí)用化備受期待。

這為電子行業(yè)帶來了巨大的商機(jī)。半導(dǎo)體廠商正在針對車載領(lǐng)域改進(jìn)面向消費(fèi)領(lǐng)域和ICT（信息通信技術(shù)）領(lǐng)域開發(fā)并積累了業(yè)績的產(chǎn)品，向汽車廠商和一級零部件供應(yīng)商推銷。在2014年1月15～17日于東京有明國際會(huì)展中心舉行的“第6屆國際汽車電子技術(shù)展”上，半導(dǎo)體廠商的積極展示十分引人注目。

以前，此類展會(huì)上展示的都是達(dá)到一定的完成度、并得到汽車廠商認(rèn)可的產(chǎn)品。此次卻出現(xiàn)了很多正在開發(fā)或預(yù)定開發(fā)的展品，可見半導(dǎo)體廠商的態(tài)度發(fā)生了轉(zhuǎn)變。下面就介紹幾個(gè)代表性展示。

以誤差對策提高可靠性

瑞薩電子的展示強(qiáng)調(diào)的是，如何將已經(jīng)用于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等產(chǎn)品的SRAM制造誤差補(bǔ)償技術(shù)運(yùn)用到車載IC上。

通過監(jiān)控工作狀態(tài)、調(diào)整偏壓，以圖延長年久老化的SRAM壽命，并將其用于車載MCU的SRAM上。瑞薩的目標(biāo)是，3年后使汽車廠商在MCU的開發(fā)中采用該技術(shù)。

意法半導(dǎo)體的“STiH485”將原來面向電視機(jī)等消費(fèi)類產(chǎn)品開發(fā)的媒體處理SoC進(jìn)行了改進(jìn)，并轉(zhuǎn)用于車載用途。該公司演示了把該產(chǎn)品用于ADAS和車輛全方位監(jiān)控系統(tǒng)的做法。

目前，該產(chǎn)品利用28nm的Bulk CMOS工藝制造，不過意法半導(dǎo)體正在開發(fā)采用28nm FDSOI（全耗盡型SOI）CMOS工藝的產(chǎn)品，由此削減芯片面積，降低成本。

飛索半導(dǎo)體通過展板介紹了把富士通半導(dǎo)體時(shí)代面向移動(dòng)產(chǎn)品開發(fā)并銷售的升降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器IC“MB39C326”針對汽車儀表板用途進(jìn)行了改進(jìn)的產(chǎn)品。在2014年內(nèi)計(jì)劃開始樣品供貨。

將手機(jī)基站用半導(dǎo)體用于發(fā)動(dòng)機(jī)

飛思卡爾半導(dǎo)體則介紹了把面向手機(jī)基站開發(fā)的高功率RF晶體管用于汽車發(fā)動(dòng)機(jī)點(diǎn)火的項(xiàng)目。這是與大發(fā)工業(yè)和Imagineering共同推進(jìn)的，利用晶體管在發(fā)動(dòng)機(jī)內(nèi)產(chǎn)生等離子，點(diǎn)燃燃料。該技術(shù)有望提高燃效。該公司在展區(qū)內(nèi)展示了試制品（圖3）。

LAPIS Semiconductor公司參考展出了車載直流電源通信。由于是在12V的直流電源布線上重疊數(shù)據(jù)進(jìn)行傳輸，因此用一根布線既能供電又能提供數(shù)據(jù)。利用了從沖電氣工業(yè)時(shí)代開始在通信領(lǐng)域積累的OFDM（直交頻分復(fù)用）技術(shù)等。該公司在展區(qū)內(nèi)利用通過市售FPGA試制的收發(fā)IC進(jìn)行了演示。

SII（精工電子）展示了可檢測0.5Pa壓力變化的壓力傳感器�？赏ㄟ^測量大氣壓掌握高度等。展示的電路使用了該公司開發(fā)的通用運(yùn)算放大器，這是一款不僅擴(kuò)大了工作溫度范圍，而且提高了耐壓的車載級產(chǎn)品。

動(dòng)態(tài)改變FPGA的邏輯

從通信裝置到消費(fèi)類電子產(chǎn)品都在使用的FPGA廠商也針對汽車領(lǐng)域積極展開了行動(dòng)。例如，賽靈思此次利用遙控車進(jìn)行了車輛全方位監(jiān)控系統(tǒng)的演示，可根據(jù)車輛的換擋操作動(dòng)態(tài)更改FPGA的邏輯。該公司強(qiáng)調(diào)，這樣可提高邏輯電路的裝配效率。

英飛凌科技的展示宣傳的是把移動(dòng)產(chǎn)品用SoC等尖端邏輯IC常用的300mm晶圓用于車載半導(dǎo)體制造。具體而言，該公司展示了用于Si IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）制造的硅晶圓。減薄晶圓可降低IGBT的損失，為了強(qiáng)調(diào)晶圓的厚度之薄，該公司以彎曲的狀態(tài)展示了超薄晶圓。