MK-3PharmHT熱消高溫模塊EDI
E-CELL的EDI 采用模塊化技術(shù)，通過不同數(shù)量的模塊搭配，可以適應(yīng)各種水處理要求。其為發(fā)電、半導(dǎo)體、微電子、化工以及制藥等行業(yè)的高純水的生產(chǎn)提供有力保障。
EDI 利用傳統(tǒng)的離子交換樹脂將水中的污染離子去除，其ZD的優(yōu)點(diǎn)在于： EDI 技術(shù)采用直流電迫使污染離子持續(xù)的從進(jìn)水中遷移出來，并穿過離子床和離子交換膜進(jìn)入濃水室。同時直流電能夠?qū)⑺肿与婋x成氫離子和氫氧根離子，持續(xù)的對樹脂進(jìn)行再生。因此 EDI 可以連續(xù)、可預(yù)知的生產(chǎn)出等同甚至優(yōu)于混床出水的高純水
一、技術(shù)參數(shù)
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裝運(yùn)重量：
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92kg
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尺寸（寬*高*厚）：
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30cm*61cm*48cm
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進(jìn)水參數(shù)
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總可交換陰離子（ppm以CaCO3計(jì)）：
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<25
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電導(dǎo)率：
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<43us/cm
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PH:
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5-9
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溫度：
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4.4-40攝氏度
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硬度（ppm以CaCO3計(jì)）：
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<1.0
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二氧化硅（ppm以SiO2計(jì)）：
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<1.0
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TOC(ppm):
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<0.5
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濁度（NTU）：
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<1.0
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色度（APHA）：
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5
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余氯（ppm）：
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<0.05
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Fe,Mn,H2S(ppm):
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<0.01
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氧化劑：
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未檢出
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油脂：
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未檢出
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SDI (15min):
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<1.0
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出水水質(zhì)
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電阻率：
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>10MOhm.cm
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TOC(以C計(jì)，ppb):
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<500
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PH:
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6.5-8
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工作參數(shù)
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標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)水量（M3/H）：
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4.1
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產(chǎn)水量范圍（M3/H）：
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1.6-4.6
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回收率：
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87-95%
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濃水流向：
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逆流
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是否加鹽：
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否
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電壓（VDC）：
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0-300
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電流（ADC）：
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0-5.2
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進(jìn)水壓力（bar）：
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4.1-6.2
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標(biāo)準(zhǔn)壓降（bar）:
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1.4-2.4
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1h高溫消毒次數(shù)：
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160
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消毒溫度：
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80-85攝氏度
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二、MK-3PharmHT熱消高溫模塊EDI應(yīng)用市場
1、半導(dǎo)體、電子、陽能
2、化工、鋼鐵、冶金
3、發(fā)電（鍋爐給水）
4、 制藥（高溫制藥用模塊）
5、 實(shí)驗(yàn)室（Mini 模塊）
三、MK-3PharmHT熱消高溫模塊EDI主要特點(diǎn)：
SUEZ EDI 的特點(diǎn)
1、濃水室添加樹脂，電耗低
2、逆流運(yùn)行，降低結(jié)垢傾向
3、出水水質(zhì)高，長期運(yùn)行穩(wěn)定
4、無需向濃水室加鹽和濃水 循環(huán)，簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)
四、MK-3PharmHT熱消高溫模塊EDI的儲存條件：
MK-3PharmHT模塊應(yīng)在室內(nèi)儲存，避免陽光直射，儲存溫度在33ºF（1℃）至109ºF（43℃）之間。
MK-3PharmHT模塊里面的膜必須保持濕潤。如果儲存三天以上，模塊必須裝滿水。為了能保存更長時間比如說一年，必須排出E-Cell-3X模塊里的水，并將管口蓋上，以保持濕潤。任何時候儲存模塊時， 必須使其后面的管口向上。
四、MK-3PharmHT熱消高溫模塊EDI的停機(jī)步驟：
MK-3PharmHT模塊短期停機(jī)
如果擬將系統(tǒng)停機(jī)一段時間，且管道允許系統(tǒng)排水，則必須關(guān)閉某些手動閥。它們包括如下所述：
1. 關(guān)閉淡水進(jìn)口閥。
2. 關(guān)閉淡水出口閥。
3. 關(guān)閉淡水產(chǎn)水沖洗閥。
4. 關(guān)閉濃水排放閥。
5. 關(guān)閉極水出口閥。
MK-3PharmHT模塊長期停機(jī)
如果MK-3PharmHT模塊擬停機(jī)三天以上，它們必須為長期停機(jī)作準(zhǔn)備并存儲模塊，以阻止生物群的生長。
注：為長期停機(jī)作準(zhǔn)備的所有步驟期間，MK-3PharmHT模塊必須斷電！
注意：
1. 必須關(guān)閉MK-3PharmHT模塊的電源。
2. 允許MK-3PharmHT模塊排干所有積水。
3. 關(guān)閉或蓋上所有MK-3PharmHT模塊的進(jìn)口和出口，這樣它們就能保持濕潤。
4. 長期停機(jī)后，再次運(yùn)行，MK-3PharmHT模塊也許會要求再生。再生大約需要8-16小時。
五、MK-3 EDI 相較于混床
1、工藝先進(jìn)
2、無需化學(xué)品再生
3、運(yùn)行成本大幅低于混床
4、連續(xù)運(yùn)行，操作簡單
5、減少設(shè)備占地空間
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