供應(yīng)西門子交流接觸器3TF3010-0XM0

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行程開關(guān)動靜觸頭樂清市泰福電氣有限公司成立于2016年6月。是一家以工業(yè)自動化為主營，融科工貿(mào)于一體的全民科研開發(fā)、技術(shù)改造、工程服務(wù)中心，公司與數(shù)百家國際國內(nèi)知名品牌合作，常備庫存達2個億。我們真誠的希望在產(chǎn)品銷售、工程項目承接、系統(tǒng)開發(fā)方面能與貴司開展多方合作。 價格合理〓高效內(nèi)部成本控制，減少了開支，讓利于客戶！ 新華社北京10月3日電（記者許晟）工業(yè)和信息化部近日發(fā)布數(shù)據(jù)，今年前8個月，電子信息產(chǎn)業(yè)500萬元以上項目完成固定資產(chǎn)投資額8573.5億元，同比增長15.9%，高于同期工業(yè)投資7.2個百分點。 分行業(yè)看，今年前8個月，電子器件行業(yè)投資增長12.3%，高于1月至7月0.1個百分點，現(xiàn)小幅回暖。電子元件行業(yè)投資增長16.5%；電子計算機行業(yè)增長32.25；通信設(shè)備行業(yè)增長9.4%；家用視聽行業(yè)增長23.5%；信息材料行業(yè)增長6.8%；光伏相關(guān)行業(yè)增長39.4%。均低于今年前7個月的增速。 外商在電子信息產(chǎn)業(yè)的投資略有回落，國企相對穩(wěn)定。

西門子觸頭讀中國制造2025

工信部毛偉明副部長在第十一屆中國工業(yè)論壇上致辭中說，《中國制造2025》的精髓，就是要加快推進我國制造業(yè)由大變強。要加快提升我國制造業(yè)的國際競爭力，首先要解決的問題是提升產(chǎn)業(yè)層次，實現(xiàn)制造業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。盡管我國的制造業(yè)門類*齊全、規(guī)模也是全球*大的，但工業(yè)產(chǎn)品仍處于價值鏈的中低端，必須通過技術(shù)創(chuàng)新來提高產(chǎn)業(yè)的國際競爭力。在這一過程中，要明確技術(shù)創(chuàng)新的主體是企業(yè)，盡快形成以市場為導向、企業(yè)為主體、產(chǎn)學研用相結(jié)合的技術(shù)創(chuàng)新體系，使我國制造業(yè)、尤其是高端裝備制造業(yè)把握新一輪工業(yè)革命的契機，搶占國際競爭制高點。

中國機械工業(yè)聯(lián)合會執(zhí)行副會長陳斌在其主旨演講中，就貫徹實施中國制造2025，著重談了裝備制造業(yè)的問題、裝備制造業(yè)如何先行等內(nèi)容。他指出裝備制造業(yè)現(xiàn)狀是：產(chǎn)能過剩；對引進技術(shù)、進口設(shè)備形成依賴；科研開發(fā)能力弱；行業(yè)封閉發(fā)展；自主創(chuàng)新屢遭挫折。他指出，質(zhì)量問題是企業(yè)的責任，政府要依法追究企業(yè)的質(zhì)量責任，并建立相關(guān)的消費者責任法。

中國工業(yè)經(jīng)濟聯(lián)合會執(zhí)行副會長兼秘書長熊夢就協(xié)會等行業(yè)組織機構(gòu)如何幫助企業(yè)了解、實施中國制造2025，在其主旨演講中介紹了中國工經(jīng)聯(lián)當前開展的建立行業(yè)智庫等工作。據(jù)他介紹，國家高層領(lǐng)導不久前對中國工經(jīng)聯(lián)做出批示：希望各行業(yè)協(xié)會為推進中國制造2025發(fā)揮更大作用。

1月至8月，

外商企業(yè)累計完成投資928.3億元，同比增長16.3%，低于前7個月2.9個百分點；國企累計完成投資520.6億元，同比增長11.9%，高于前7個月0.9個百分點。 。 力信自動化公司主旨：“顧客至上，信譽**”的經(jīng)營理念，堅持“以誠為本”以誠信為根本準則，為廣大客戶供給優(yōu)質(zhì)效勞。3VL6780-3AE36-0AC1廉價現(xiàn)貨6億元GM4-B12M質(zhì)優(yōu)價低NF250-SEV倍加福BX700-DFR-T 供應(yīng)商家TH-N20TAKP

2016年中國工業(yè)電氣

本屆論壇以“中國制造2025邁向強國之路”為主題，圍繞《中國制造2025》規(guī)劃綱要，突出“中國創(chuàng)造、中國質(zhì)量、中國品牌”，精心設(shè)計推出了系列主題活動。

本屆論壇圍繞《中國制造2025》規(guī)劃綱要，通過中國工業(yè)企業(yè)品牌競爭力評價發(fā)布主題活動、國產(chǎn)重大技術(shù)裝備首臺（套）示范項目發(fā)布及用戶宣傳表彰、中國工業(yè)年度人物和單位發(fā)布、中國工業(yè)品牌新絲路之旅主題活動、首屆海峽兩岸工業(yè)發(fā)展論壇主題活動等表現(xiàn)形式，展示中國制造業(yè)由大變強的成果。

據(jù)了解，中國工業(yè)論壇每年度召開一次，經(jīng)過十屆的成功舉辦，已經(jīng)成為中國工業(yè)界標志性的高層論壇。它以推進新型工業(yè)化，服務(wù)產(chǎn)業(yè)、服務(wù)政府、服務(wù)企業(yè)為主旨，向中國工業(yè)界乃至世界工業(yè)領(lǐng)域傳遞中國工業(yè)產(chǎn)業(yè)信息。

結(jié)構(gòu)原件

可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個PN結(jié)，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電極。但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在一起畫成的，如圖2所示。它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。雙向可控硅的規(guī)格、型號、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同，但其電極引腳多數(shù)是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時，電極引腳向下，面對標有字符的一面)。目前市場上*常見的幾種塑封外形結(jié)構(gòu)雙向可控硅的外形及電極引腳排列如下圖1所示。

為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板（圖3）。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來，通過開關(guān)S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負極，控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在1.5V直流電源的正極（這里使用的是KP1型晶閘管，若采用KP5型，應(yīng)接在3V直流電源的正極）。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接，也就是說，給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓。合上電源開關(guān)S，小燈泡不亮，說明晶閘管沒有導通；再按一下按鈕開關(guān)SB，給控制極輸入一個觸發(fā)電壓，小燈泡亮了，說明晶閘管導通了。這個演示實驗給了我們什么啟發(fā)呢?

這個實驗告訴我們，要使晶閘管導通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發(fā)電壓。晶閘管導通后，松開按鈕開關(guān)，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導通狀態(tài)。

晶閘管特點

“一觸即發(fā)”。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導通�？刂茦O的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導通，卻不能使它關(guān)斷。那么，用什么方法才能使導通的晶閘管關(guān)斷呢?使導通的晶閘管關(guān)斷，可以斷開陽極電源（圖3中的開關(guān)S）或使陽極電流小于維持導通的*小值（稱為維持電流）。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓，那么，在電壓過零時，晶閘管會自行關(guān)斷

應(yīng)用類型圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。

由圖可見，雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內(nèi)的曲線組合成的。**象限的曲線說明當加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時，我們稱為正向電壓，并用符號U21表示。當這個電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時，圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導通，這時的通態(tài)電流為I21，方向是從T2流向Tl。從圖中可以看到，觸發(fā)電流越大，轉(zhuǎn)折電壓就越低，這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導通規(guī)律是一致的， 當加到主電極上的電壓使Tl對T2的極性為正時，叫做反向電壓，并用符號U12表示。當這個電壓達到轉(zhuǎn)折電壓值時，圖3（b)右邊的可控硅便觸發(fā)導通，這時的電流為I12，其方向是從T1到T2。這時雙向可控硅的特性曲線，如圖4中第三象限所示。

四種觸發(fā)方式

由于在雙向可控硅的主。電極上，無論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發(fā)信號是正向還是反向，它都能被觸發(fā)導通，因此它有以下四種觸發(fā)方式：(1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓，控制積極G對**電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號（圖5a）。雙向可控硅觸發(fā)導通后，電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知，這時雙向可控硅觸發(fā)導通規(guī)律是按第二象限的特性進行的，又因為觸發(fā)信號是正向的，所以把這種觸發(fā)叫做“**象限的正向觸發(fā)”或稱為I+觸發(fā)方式。(2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號改為反向信號(圖5b)，這時雙向可控硅觸發(fā)導通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“**象限的負觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發(fā)信號，雙向可控硅導通后，通態(tài)電流從T1流向T2。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作，因此把這種觸發(fā)叫做Ⅲ+觸發(fā)方式。 (4)兩個主電極仍然加反向電壓U12，輸入的是反向觸發(fā)信號(圖5d)，雙向可控硅導通后，通態(tài)電流仍從T1流向T2。這種觸發(fā)就叫做Ⅲ-觸發(fā)方式。 雙向可控硅雖然有以上四種觸發(fā)方式，但由于負信號觸發(fā)所需要的觸發(fā)電壓和電流都比較小。工作比較可靠，因此在實際使用時，負觸發(fā)方式應(yīng)用較多。

用途

普通晶閘管*基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路。以*簡單的單相半波可控整流電路為例，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時，晶閘管被觸發(fā)導通。畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內(nèi)晶閘管導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)�通�?theta;，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現(xiàn)了可控整流。

1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統(tǒng)。額定電流：IA小于2A。

2：大；中功率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。

3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等。

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多�？煽毓栌腥齻�電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié)�？煽毓韬椭挥幸粋�PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同�？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

電壓測方法

可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。

首先，可以把從陰極向上數(shù)的**、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基一射間）輸入一個正的觸發(fā)信號，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。

可控硅一經(jīng)觸發(fā)導通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導通。此時觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導通的*小值時，可控硅方可關(guān)斷。當然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態(tài)。這時，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動發(fā)信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了。

可控硅這種通過觸發(fā)信號（小的觸發(fā)電流）來控制導通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。

普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道，晶閘管G、K之間是一個PN結(jié)（a），相當于一個二極管，G為正極、K為負極，所以，按照測試二極管的方法，找出三個極中的兩個極，測它的正、反向電阻，電阻小時，萬用表黑表筆接的是控制極G，可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開關(guān)S，按一下按鈕開關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。

測量方法

鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。

陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。

控制極與陰極之間是一個P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大�？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。

若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。

可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關(guān)以快速接通或切斷電路，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等�？煽毓韬推渌�半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn)，使半導體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。

延伸閱讀

1、柵極上的噪聲電平

在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會被觸發(fā)導通。

應(yīng)用安裝時，首先要使柵極外的連線盡可能短。當連線不能很短時，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個1KΩ的電阻來降低其靈敏度，也可以再并聯(lián)一個100nf的電容，來濾掉高頻噪聲。

2、關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率

當驅(qū)動一個大的電感性負載時，在負載電壓和電流間有一個很大的相移。當負載電流過零時，雙向可控硅(晶閘管)開始換向，但由于相移的關(guān)系，電壓將不會是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個電壓。如果這時換向電壓的變化超過允許值時，就沒有足夠的時間使結(jié)間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導通狀態(tài)。

為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡(luò)來限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā)。一般，電阻取100R，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。

3、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率

當負載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時，會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種情況*易在感性負載的情況下發(fā)生，很容易導致器件的損壞。此時可以在負載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。

4、關(guān)于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率DVD/DT

在處于截止狀態(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的VDFM的高速變化的電壓時，內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導通。這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。

5、關(guān)于連續(xù)峰值開路電壓VDRM

在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的*大值，此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通。如果負載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導通。導致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負載或短路保護電路會產(chǎn)生較高的浪涌電流，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上。