帶IGBT和碳化硅肖特基二極管的功率模塊

高開(kāi)關(guān)頻率并且和提高了輸出功率和效率

賽米控提供混合碳化硅功率模塊如，SEMITRANS和SKiM63/93。將*新的IGBT技術(shù)和由領(lǐng)先供應(yīng)商所提供的SiC（碳化硅）肖特基二極管結(jié)合在一起，以提高開(kāi)關(guān)頻率，同時(shí)減少功率損耗。

可提供的混合碳化硅功率模塊電流為8A - 450A,電壓為 1200V。涵蓋三相全橋和半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

SiC（碳化硅）肖特基續(xù)流二極管所帶來(lái)的開(kāi)關(guān)損耗近乎為零, 同時(shí)能大大降低IGBT的導(dǎo)通損耗。這些效果可以在同一個(gè)模塊封裝里帶來(lái)更高的開(kāi)關(guān)頻率，它有效地降低了對(duì)如太陽(yáng)能逆變器、UPS系統(tǒng)或高頻電源的輸出端的濾波要求。而且可實(shí)現(xiàn)比標(biāo)準(zhǔn)硅功率模塊更高的輸出功率。

SKM200GB12T4SiC

SiC Modules

SEMITRANS 3 (106x62x31)

Part Number    22892069

Product Status          Sample status

Housing   SEMITRANS 3 (106x62x31)

(LLxBBxHH)      106x62x31

Switches  Half Bridge

VCE in V   1200

ICnom in A        200

Technology       SiC Diode + IGBT 4 (Trench)