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英飛凌推出業(yè)界首款無鉛封裝的汽車電源MOSFET

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-10     來源:[標簽:出處]     作者:[標簽:作者]     瀏覽次數(shù):174
核心提示:

的MOSFET的系列產(chǎn)品新型40V的OptiMOS™T2的MOSFET TO - 262以及T2系列產(chǎn)品的量產(chǎn)已準備就緒。

  英飛凌的MOSFET的新系列產(chǎn)品超越了現(xiàn)行歐盟RoHS指令對于含鉛焊錫封裝的規(guī)范,更嚴格的ELV符合RoHS標準可能將于2014年施行,屆時將要求采用完全無鉛的封裝方式。作為業(yè)界首款無鉛封裝MOSFET的,英飛凌的新產(chǎn)品讓客戶滿足更嚴格的要求。

  英飛凌推出至無鉛封裝的汽車電源的MOSFET的新型40V的OptiMOS™T2的MOSFET

  英飛凌汽車電子事業(yè)處標準電源產(chǎn)品副總裁暨總經(jīng)理弗蘭克Schwertlein且符合RoHS環(huán)保之MOSFET,協(xié)助客戶開發(fā)節(jié)能的“綠色”產(chǎn)品。“

  英飛凌專*的無鉛黏晶(芯片粘接) 175μm),為功率半導體提供多項改良:

  環(huán)保的技術(shù):不使用線索及其他有毒物質(zhì)。

  擴散焊接黏晶技術(shù)結(jié)合薄晶圓制程:大幅降低封裝的導通電阻值的RDS(on)。

  熱阻(RthJC)改善率高達40 - 50%:傳統(tǒng)的軟線索焊料的熱傳導能力不佳,阻礙了​​MOSFET的接面之散熱。

  其他優(yōu)點還包括:由于沒有焊錫流量跡(出血)及晶片傾斜(芯片tiltness)的問題,以及更收斂的RDS(ON)與RthJC

  從新款的OptiMOS T2 40V(如:IPB160N04S4 - 02D,160A)的規(guī)格產(chǎn)品得知,其RDS(ON)僅2.0mΩ且RthJC僅0.9K / W相較于使用標準線索焊接的同類產(chǎn)品,其導通電阻降低了約20%的OptiMOS T2的產(chǎn)品擁有同級產(chǎn)品中最佳效能。

  上市時間

  OtpiMOS T2為業(yè)界率先采用至無鉛封裝的車用電源的MOSFET的,系列產(chǎn)品包括IPB160N04S4 - 02D(160A,TO - 263封裝),IPB100N04S4 - 02D(100A,TO - 263),IPP100N04S4 - 03D(100A,TO - 220 )以及IPI100N04S4 - 03D(100A,TO - 262)皆已上市。

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