2012年6月7日，應(yīng)用材料公司宣布推出半導體業(yè)界最先進的單硅片大電流離子注入系統(tǒng)，即全新的Applied Varian VIISta® Trident系統(tǒng)。通過嵌入“摻雜物”原子以調(diào)整芯片電性能，新型VIISta Trident系統(tǒng)是唯一一臺被證明能夠確保成品率，在20納米技術(shù)節(jié)點實現(xiàn)高性能低功耗邏輯芯片制造的離子注入系統(tǒng)。

　　在20納米技術(shù)節(jié)點，優(yōu)化摻雜物激活和減少擴展、源/漏結(jié)及接觸區(qū)域的缺陷，成為阻礙高性能晶體管微縮化的重大挑戰(zhàn)。VIISta Trident系統(tǒng)具有準確調(diào)整摻雜物濃度和深度分布的獨特能力，對于先進器件的優(yōu)化性能、控制漏電流和降低可變性至關(guān)重要。

　　應(yīng)用材料公司副總裁兼維利安產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Bob Halliday表示：“制造一枚常規(guī)先進邏輯芯片需要多達60個離子注入步驟，包括共同離子注入和精密材料改性應(yīng)用，其中很多步驟對器件的性能至關(guān)重要。我們VIISta Trident技術(shù)的精準度是幫助客戶實現(xiàn)尖端芯片設(shè)計可盈利成品率的關(guān)鍵。這一標桿性性能鞏固了應(yīng)用材料公司在為客戶提供最先進晶體管制造解決方案方面的領(lǐng)導地位。如今，所有制造20納米芯片的主要代工廠都在將我們的VIISta Trident系統(tǒng)作為首選設(shè)備使用。”

　　Trident系統(tǒng)性能優(yōu)越的關(guān)鍵在于其具有專*的雙磁體帶狀光束架構(gòu)，實現(xiàn)了增強型低能量性能。該系統(tǒng)的能量純度模塊幾乎消除了會“玷污”關(guān)鍵晶體管通道并導致漏電流增加、性能降低的有害高能量成分。

　　相匹配的低溫技術(shù)可實現(xiàn)低至零下100°C的制造注入，提供晶體管間性能一致的卓越工藝控制。這對于制造在位緩沖存儲器中的嵌入式SRAM單元尤其重要，在此，構(gòu)成每個單元的6個或8個晶體管必須精確一致，才能在低工作電壓下實現(xiàn)移動計算所需的可靠切換。