”的底層基板，可以大幅提高白色LED外延片的生產(chǎn)效率、增強(qiáng)LED特性。因此，對(duì)于激烈競(jìng)爭(zhēng)的白色LED制造商而言，該產(chǎn)品有望成為能顯著提升企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的解決方案。

產(chǎn)品市場(chǎng)上的需求正在急劇擴(kuò)大。白色LED外延片的基本生長(zhǎng)方式是，先在藍(lán)寶石基板上生長(zhǎng)出一層10μm厚的n型GaN層，接著生長(zhǎng)一層1μm厚的超薄活性層和p型GaN層（圖2）。在一般的生產(chǎn)工序中，這些晶體層全部采用MOVPE法（注1）實(shí)現(xiàn)生長(zhǎng)。MOVPE法雖然適用于需要原子級(jí)膜厚控制的活性層的生長(zhǎng)，但要生長(zhǎng)出所需厚度的優(yōu)質(zhì)n型GaN層，則需要花費(fèi)較長(zhǎng)時(shí)間。所以，白色LED外延片每天最多只能生長(zhǎng)1～2次。因此，如何實(shí)現(xiàn)高效率的生產(chǎn)一直是業(yè)界亟待解決的難題。

 

　　為了解決這一課題，日立電線(xiàn)開(kāi)發(fā)出了采用MOVPE法生長(zhǎng)的底層基板所使用的GaN模板。

　　GaN模板采用在藍(lán)寶石基板上生長(zhǎng)n型GaN層的結(jié)構(gòu)。通過(guò)采用GaN模板，LED制造商將不再需要n型GaN緩沖層的生長(zhǎng)工藝，生長(zhǎng)所需要的時(shí)間也將降至原來(lái)的一半左右。此外，采用日立電線(xiàn)生產(chǎn)的GaN模板，還可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)低阻化和高結(jié)晶性，這也同樣適用于需要較大電流的大功率LED。

　　此前，日立電線(xiàn)曾開(kāi)發(fā)出用于藍(lán)紫色激光器等設(shè)備的單晶GaN自支撐基板，并為了實(shí)現(xiàn)該產(chǎn)品的生產(chǎn)，推進(jìn)了基于HVPE（注2）法的獨(dú)有結(jié)晶生長(zhǎng)技術(shù)的發(fā)展。此次，我們以此項(xiàng)獨(dú)有的生長(zhǎng)技術(shù)為依托，全新開(kāi)發(fā)出高質(zhì)量GaN模板的高效生產(chǎn)技術(shù)及設(shè)備，構(gòu)建了完備的量產(chǎn)體制。

　　GaN模板主要具有以下特點(diǎn)：（1）基于在GaN自支撐基板的開(kāi)發(fā)過(guò)程中積累的生長(zhǎng)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高結(jié)晶性和高表面質(zhì)量；（2）具備同樣適用于大功率晶片鍵合型LED等的低電阻n型GaN緩沖層（注3；（3）支持表面平坦的藍(lán)寶石基板及各種PSS（注4）；（4）支持直徑2～6英寸晶片（8英寸晶片的開(kāi)發(fā)正在計(jì)劃中）。

　　除以前開(kāi)發(fā)出的GaN基板和GaN外延片外，日立電線(xiàn)此次又推出了GaN模板產(chǎn)品，今后將進(jìn)一步強(qiáng)化和擴(kuò)展GaN產(chǎn)品陣容，以提供可滿(mǎn)足客戶(hù)廣泛需求的化合物半導(dǎo)體材料。

　　同時(shí)，日立電線(xiàn)還將參加于今年5月13～16日在美國(guó)新奧爾良市舉辦的CS Mantech（化合物半導(dǎo)體制造技術(shù)國(guó)際會(huì)議），并在展覽會(huì)上進(jìn)行有關(guān)GaN模板的展示說(shuō)明。