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國內(nèi)高壓大功率IGBT芯片技術取得重大突破

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-27     來源:[標簽:出處]     作者:[標簽:作者]     瀏覽次數(shù):147
核心提示:
       中國南車旗下的株洲南車時代電氣股份有限公司完成的“軌道交通用3300V等級IGBT芯片研制及其應用”項目21日在長沙通過由湖南省科技廳組織的專家組鑒定。中國工程院院士劉友梅等專家對此高度評價,認為該項目填補了國內(nèi)高壓大功率IGBT芯片技術的空白。

  該項目在芯片設計、芯片工藝和芯片封裝測試、試驗及應用考核方面符合國際最新的產(chǎn)品技術標準,適應國內(nèi)軌道交通復雜的運營環(huán)境要求,現(xiàn)場裝車運營表現(xiàn)優(yōu)異,代表軌道交通用該電壓等級IGBT器件技術的最高水平,大大縮短了中國高壓IGBT芯片技術與國際先進水平的差距,為真正構建IGBT芯片—模塊—裝置—系統(tǒng)應用的完整產(chǎn)業(yè)鏈,實現(xiàn)重大民族裝備自主掌握,突破了關鍵節(jié)點,具有良好的市場前景和應用價值。

  株洲南車時代電氣股份有限公司副總經(jīng)理、總工劉可安介紹,由于中國IGBT器件技術及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展較晚,加之技術門檻難度之高、投入之大,目前中國市場的IGBT產(chǎn)品基本依賴進口,國內(nèi)有數(shù)家從事中小功率IGBT產(chǎn)品組裝企業(yè),且未形成產(chǎn)業(yè)規(guī)模,在大功率IGBT模塊封裝技術上,也只有包括中國南車在內(nèi)的少數(shù)企業(yè)所掌握,而在高壓IGBT芯片技術及后期系統(tǒng)運用上,國內(nèi)僅有中國南車獨家掌握。

  據(jù)了解,近年來,中國南車通過收購英國丹尼克斯半導體公司、在英國成立功率半導體海外研發(fā)中心、建立國內(nèi)第一條IGBT模塊封裝線和國內(nèi)第一條8英寸的IGBT芯片生產(chǎn)基地等舉措,在國家“高壓IGBT元件研制”等重大專項政策支持下,掌握電壓等級從1200伏到6500伏不等的5種IGBT芯片及模塊封裝、測試、應用技術,并已成功在國內(nèi)城市軌道車輛、大功率交流傳動電力機車上實現(xiàn)裝車運營。

  當天,經(jīng)過認真的研究、談論,鑒定委員會一致認為,該項目成果達到國際先進水平,實現(xiàn)了具有自主知識產(chǎn)權3300V等級IGBT芯片的突破,填補了國內(nèi)高壓大功率IGBT芯片技術的空白,并已在軌道交通領域批量應用,同意通過科技成果鑒定。同時,鑒定委員會建議盡快形成系列化產(chǎn)品,并推廣應用到其他領域。

  據(jù)介紹,作為軌道交通牽引主流器件,3300伏等級的IGBT器件在大功率電力機車、城市軌道交通領域具有廣泛的應用前景,預計未來十年中國軌道交通牽引市場每年對3300伏等級的IGBT模塊需求量為10到20萬只/年,市場前景非?捎^。 

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