日本名古屋大學與芬蘭阿爾托大學共同研究、開發(fā)成功全碳素集成電路。屬世界首次。 

研究小組采用碳納米管（CNT）制作電極和配電材料、用丙烯樹脂制作絕緣材料，合成透明的全碳素集成電路。經測試，其電子移動速度達1000平方米/秒伏特，是一般在樹脂基板上嵌入薄膜晶體管而成的集成電路的20倍以上。制品具有較高柔軟性和伸縮性，通過熱成型可制成各種立體形狀，滿足電子設備設計要求。研究小組期待該發(fā)明廣泛用于可彎曲顯示器、血壓測定儀以及高性能集成電路等領域。