英飛凌執(zhí)行長Dr. Reinhard Ploss表示，事實(shí)證明英飛凌的策略正確，從產(chǎn)品導(dǎo)向的思維模式邁向系統(tǒng)級(jí)別的觀點(diǎn)，并提供最適合客戶的產(chǎn)品，幫助他們獲得成功。這點(diǎn)由英飛凌在MOSFET功率電晶體領(lǐng)域的持續(xù)成長便可看出。

　　2013年全球功率半導(dǎo)體市場縮減0.3%，約為154億美元。盡管大環(huán)境情況不佳，英飛凌市占率仍達(dá)到12.3%，較前一年成長了0.9%。另一方面，在MOSFET功率電晶體的市場區(qū)塊，該公司市占率成長了1.6%達(dá)到13.6%，首度成為此市場區(qū)塊的最大供應(yīng)商。同時(shí)，英飛凌也在分離式逆導(dǎo)絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)功率電晶體與IGBT模組的子市場市占率，分別位居第一、二名。

　　功率半導(dǎo)體可依據(jù)不同領(lǐng)域的應(yīng)用，以分離式、模組化或組裝堆疊的組態(tài)供應(yīng)，控制與轉(zhuǎn)換數(shù)瓦特到數(shù)百萬瓦特的電力；而功率電晶體則是體積非常精巧的開關(guān)，是節(jié)能電源供應(yīng)器的必要元件。