靜電放電主要通過(guò)放電輻射、靜電感應(yīng)、電磁感應(yīng)和傳導(dǎo)耦合等途徑危害電子設(shè)備。靜電放電屬于脈沖式干擾，它對(duì)電子電路的干擾一般取決于脈沖幅度、寬度及脈沖的能量。一些靜電放電時(shí)帶電電壓或能量雖然不大，但由于在極短時(shí)間內(nèi)起作用，其瞬間能量密度也會(huì)對(duì)期間和電路產(chǎn)生干擾和危害。

靜電會(huì)損害電子元器件

現(xiàn)代電子行業(yè)研發(fā)與生產(chǎn)過(guò)程中，大規(guī)模集成電路的應(yīng)用愈加廣泛。大規(guī)模集成電路具體積小、速度快的特點(diǎn)，正是由于其內(nèi)部線(xiàn)路之間的間距短、面積小，但這必然以犧牲其耐壓、耐流參數(shù)為昂貴代價(jià)。CMOS電路是集成電路中最常見(jiàn)的電路類(lèi)型，其對(duì)靜電極為敏感。特別是在越來(lái)越低的工作電壓所設(shè)計(jì)的電路中，由于器件柵極氧化膜極薄，因而耐壓界限很低，微小的電荷就能導(dǎo)致器件損壞。靜電放電可是器件內(nèi)部極間電容立即被充到高電壓，使得氧化物遭到破壞，以致造成短路、開(kāi)路、擊穿和金屬化層的熔融現(xiàn)象。

在電子元器件靜電損害中，靜電放電的損害往往只有10%造成電子元器件當(dāng)時(shí)完全失效，通常表現(xiàn)為短路、開(kāi)路以及參數(shù)的嚴(yán)重變化，超出其額定范圍，器件完全喪失了其特定功能;而另外90%會(huì)潛伏下來(lái)，造成累積效應(yīng)，一般情況下，一次ESD(靜電釋放)后不足以引起器件立即完全失效，但元器件內(nèi)部會(huì)存在某種程度的輕微損傷，通常表現(xiàn)為參數(shù)有小的偏差或漂移，潛在失效并不明顯，因?yàn)闃O易被人們忽視，若這種元器件繼續(xù)帶傷工作，隨著ESD次數(shù)的增加，積累效應(yīng)越來(lái)越明顯，其損傷程度會(huì)逐漸加劇，最終必將導(dǎo)致失效。