三菱電機(jī)日前在PCIM2013亞洲展上會見了記者，三菱電機(jī)的高層與記者交流了市場的發(fā)展計劃。

新（左至右）三菱電機(jī)機(jī)電（上海）有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部市場營銷部部長錢宇峰先生、三菱電機(jī)董事及技術(shù)總監(jiān)GourabMajumdar博士及三菱電機(jī)機(jī)電（上海）有限公司副總經(jīng)理谷口豐聰先生

政府令經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇

三菱電機(jī)機(jī)電（上海）有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部市場營銷部部長錢宇峰先生表示，在2008年由于全球金融危機(jī)的影響，中國也很難獨善其身，因此三菱電機(jī)在中國的功率模塊業(yè)務(wù)首次出現(xiàn)了負(fù)增長。然而隨著2009年政府4萬億元的投入，大量的基礎(chǔ)建設(shè)項目得以開工，其中就包括軌道交通，同時又推出了一系列的家電下鄉(xiāng)和節(jié)能補(bǔ)貼政策，使得三菱電機(jī)功率模塊憑借在軌道交通和變頻家電領(lǐng)域的優(yōu)勢，在2011年，銷售額達(dá)到了頂峰。

可是在2012年，國際經(jīng)濟(jì)大環(huán)境整體疲軟，加上中國政府的調(diào)控措施以及2011年7.23溫州鐵路事故的影響，三菱電機(jī)在優(yōu)勢產(chǎn)品上遇到了瓶頸，繼而功率模塊的整體業(yè)績大幅下滑，甚至出現(xiàn)了2012年的業(yè)績比2010年還要低的情況。

在新一屆政府上臺后，整個市場逐漸恢復(fù)。在中國經(jīng)濟(jì)每年保持7.5%增長的前提下，三菱電機(jī)保守估計功率模塊市場從今年起至2015年，每年將有超過10%的增長。

就全球市場來看，據(jù)IMS研究公司的調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，2011年全球功率模塊的銷售額比2010年增加了35%，達(dá)到了40億美元，同時三菱電機(jī)也由于2011年的良好表現(xiàn)繼續(xù)領(lǐng)跑市場，其份額也超過了30%。

三菱電機(jī)董事及技術(shù)總監(jiān)GourabMajumdar博士

增長動力之一來自軌道牽引

錢先生表示，軌道牽引市場是今年市場復(fù)蘇的動力來源之一。在國家“十二五”的規(guī)劃中，2012年國家將對鐵路投入6,500億元，80%用于基礎(chǔ)建設(shè)，15%是機(jī)車車輛的購置，余下的5%用于維護(hù)和產(chǎn)品升級。

從2013至2015年，政府每年仍會保持6,000至7,000億元的投入，基于其中15%-20%用于車輛購置和維護(hù)，三菱電機(jī)的功率模塊將有所作為。同時，隨著基礎(chǔ)建設(shè)投資的擴(kuò)大，也帶動了相關(guān)工業(yè)產(chǎn)品的需求，包括工業(yè)用變頻器、伺服、數(shù)控機(jī)床等等，這也將為三菱電機(jī)功率模塊業(yè)績的增長提供機(jī)會。

另一個動力是來自變頻空調(diào)及其它變頻家電，隨著2012冷凍年度庫存的逐步消耗，2013冷凍年度的需求在今年年初已經(jīng)開始恢復(fù)，這也帶動了市場對三菱電機(jī)功率DIPIPMTM產(chǎn)品需求的增加。

另外，在新能源領(lǐng)域，特別是光伏市場，由于歐美對中國太陽能電池板雙反條令的實施，令以前以出口為主的市場，逐漸轉(zhuǎn)回國內(nèi)。在2011年，整個太陽能市場新裝機(jī)容量僅僅是2GW，而去年就達(dá)到了5GW，樂觀估計2013年可能達(dá)到9GW；同時風(fēng)電市場在經(jīng)歷了行業(yè)LVRT（低電壓穿越）功能的完善后，預(yù)計在2013年也將出現(xiàn)增長，新裝機(jī)容量將達(dá)到17GW左右。相信三菱電機(jī)功率模塊在新能源領(lǐng)域也將有所斬獲。

同時，由于中國市場需求的不斷擴(kuò)大，三菱電機(jī)早在幾年前已經(jīng)在中國開始建立工廠并制造功率模塊，如變頻家電用的DIPIPMTM產(chǎn)品以及部分IGBT產(chǎn)品。并且三菱電機(jī)也將繼續(xù)擴(kuò)大“中國制造”概念，不僅在中國生產(chǎn)制造，進(jìn)而將在中國進(jìn)行原材料的采購和優(yōu)化，提升在整個業(yè)界的競爭力。

三菱電機(jī)PCIM展位上觀眾絡(luò)繹不絕

不斷改良功率模塊技術(shù)

三菱電機(jī)董事及技術(shù)總監(jiān)GourabMajumdar博士稱，三菱電機(jī)主要從三個方面不斷提升和改良功率模塊的性能，包括：芯片技術(shù)、封裝技術(shù)和新材料。

在芯片技術(shù)方面，三菱電機(jī)目前使用的是第6代IGBT芯片技術(shù)，仍然沿用的是硅材料。不斷改進(jìn)晶圓，提高電流密度，暨擴(kuò)大芯片的有效區(qū)間從而發(fā)揮其最大效用，并在第七代產(chǎn)品上實現(xiàn)。

在封裝技術(shù)方面，目前主要采用的是盒式封裝，通過改良，新一代的MPD系列產(chǎn)品，其電壓可以達(dá)到1200V和1700V，電流達(dá)到了1800A和2500A，真正地成為了一個兆瓦級的功率模塊。

另外，三菱電機(jī)也在不斷地改良其獨有的壓注模封裝技術(shù)。目前最大規(guī)格已經(jīng)提升至600V/75A和1200V/50A。另外所有新開發(fā)產(chǎn)品都內(nèi)置了自舉二極管，從而簡化客戶的設(shè)計。

三菱電機(jī)工程師為媒體、觀眾細(xì)心講解

碳化硅為未來發(fā)展方向

在材料技術(shù)方面則采用碳化硅（SiC）。它有四大優(yōu)點：集成化更高、功耗更低、高頻下的性能更佳以及更加耐熱。以三菱電機(jī)的SiC-MOSFET來說，面積只有9×9mm，開通電阻為4mΩ/cm2。耐壓達(dá)到1300V。

除了全碳化硅器件，目前也在開發(fā)混合碳化硅器件。其中IGBT仍然使用硅材料而續(xù)流二極管采用了碳化硅材料。

三菱電機(jī)機(jī)電（上海）有限公司副總經(jīng)理谷口豐聰先生稱：將來混合碳化