碳化矽功率 MOSFET技術(shù)可顯著改善太陽(yáng)能逆變器的重量、成本和效率。

　　科銳公司與臺(tái)達(dá)能源系統(tǒng)公司(Delta Energy Systems)共同宣布成功達(dá)成太陽(yáng)能逆變器(PV inverter)業(yè)內(nèi)一項(xiàng)計(jì)劃，臺(tái)達(dá)的新一代的太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器將科銳的碳化矽(SiC)功率 MOSFET納入設(shè)計(jì)。碳化矽功率 MOSFET的加入，使下一代的太陽(yáng)能逆變器在功率密度、效率和重量上達(dá)到重要的新里程碑。

　　臺(tái)達(dá)能源系統(tǒng)公司的太陽(yáng)能逆變器研究與發(fā)展主管 Klaus Gremmelspacher評(píng)論表示：“通過利用碳化矽功率 MOSFET，臺(tái)達(dá)下一代的太陽(yáng)能逆變器在功率密度上達(dá)到新的里程碑。對(duì)我們?cè)趯?shí)現(xiàn)輕型且具備業(yè)界領(lǐng)先效率的新型高功率轉(zhuǎn)換器的目標(biāo)來(lái)說(shuō)，科銳公司所提供的碳化矽功率 MOSFET是不可或缺的。”

　　科銳于2011年發(fā)表了首款碳化矽功率 MOSFET， 具有降低損耗和提高太陽(yáng)能逆變器效率及功率密度的功效;而性能更顯著提升的第二代矽功率 MOSFET將于2013年推出。在這項(xiàng)具里程碑意義的產(chǎn)品面市后，世界上最大且最受尊敬的電源管理解決方案供應(yīng)商之一的臺(tái)達(dá)能源系統(tǒng)公司(臺(tái)達(dá)電子集團(tuán)的子公司)，決定將科銳的碳化矽功率 MOSFET納入下一代太陽(yáng)能逆變器的設(shè)計(jì)中。在11kW太陽(yáng)能逆變器中采納科銳的1200V碳化矽功率 MOSFET后，臺(tái)達(dá)已能擴(kuò)大直流輸入電壓范圍，同時(shí)維持或甚至提升前一代產(chǎn)品的最高效率。臺(tái)達(dá)預(yù)計(jì)在2013年第二季度推出的11kW加速器(booster)，因?yàn)椴捎每其J的碳化矽功率 MOSFET，其直流輸入電壓從900V提升到1000V。

　　科銳電源的資深行銷主管Scott Allen博士表示：“我們很高興且榮幸像臺(tái)達(dá)能源系統(tǒng)這樣的公司成為我們碳化矽功率 MOSFET產(chǎn)品的客戶。他們正使用中的1200V、160m-MOSFET能很快臻于完善，因?yàn)槟鞘?011年發(fā)表的產(chǎn)品，而且又具備領(lǐng)先業(yè)界的性能和成本優(yōu)勢(shì)。 像臺(tái)達(dá)電子等從事先端技術(shù)的客戶，如今也積極采用我們的碳化矽功率 MOSFET技術(shù)，不僅能使太陽(yáng)能逆變器在尺寸、重量和成本等方面比采用矽減少20%~50%，同時(shí)能保持或提升效率水準(zhǔn)。”